[发明专利]带有有利于表面状态钝化的层的器件结构有效
| 申请号： | 99103121.0 | 申请日： | 1999-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1242597A | 公开（公告）日： | 2000-01-26 |
| 发明（设计）人： | D·R·科特;W·J·科特;S·V·恩古芸;M·基尔希霍夫;M·G·莱维;M·豪夫 | 申请（专利权）人： | 西门子公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造器件的方法,它包括形成一种有利于表面状态的钝化的结构的步骤。这种结构包括作为该器件结构的一部分形成的一个氧氮化物层。当被加热时,该氧氮化物有利于表面状态的钝化。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 有利于 表面 状态 钝化 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件制造过程中有利于器件中的表面状态的钝化的工艺，其特征在于，包括以下步骤：在器件中形成一个包括氧氮化物层的钝化层；以及在含氢的环境中对器件进行加热，以钝化表面状态，从而降低漏电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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