[发明专利]绝缘栅型半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 99103139.3 | 申请日： | 1999-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1127148C | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 松浦直树;园城启裕 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一外延层的初始层形成于一n+型半导体基片上，其中一基片表面的结晶面为(100)面，并且其取向面的结晶面为{100}面。然后，通过热氧化在该初始层表面上形成硅氧化膜，并且通过CVD工艺在该硅氧化膜上形成氮化膜，然后有选择地进行干法蚀刻以形成具有初始槽的n-型外延层。接着，用氮化膜作为掩膜，对该槽的内表面进行氧化，并且如果形成氧化膜，则初始槽变为U形槽。通过对该U形槽的形状和结晶面进行优化，则可以减少该电子性能缺陷，并减小导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅型半导体器件，其中包括：一半导体，其表面上形成有U形槽，所述U形槽带有曲率半径为0.2-0.7μm的槽肩；位于所述U形槽和所述槽肩内表面上的栅氧化膜；形成于所述栅氧化膜上的栅极；所述半导体包括：一半导体基片；形成于所述半导体基片上的一外延层；所述外延层包括：一种导电型的漏区；另一种导电型的基区；一种导电型源区；所述U形型从所述源区穿过所述基区到达所述漏区。
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