[发明专利]半导体器件制造设备和半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 99103174.1 | 申请日： | 1999-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1144274C | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 上野和良 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/283;H01L21/205;C23C16/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种利用热CVD反应在一个基片上淀积一层薄膜的半导体器件制造设备，其包括一个具有一个与基片或淀积于其上的薄膜相接触的电极端子的圆环，一个向该圆环的此电极端子加载电流或电势的电源，及一个用于上下移动该圆环以使其电极端子与该基片或淀积于其上的薄膜保持或中断接触的活塞缸机构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用热CVD反应在基片上淀积薄膜的半导体器件制造设备，其特征在于所述设备具有一个向所述基片或淀积于其上的所述薄膜提供电流的电源装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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