[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 99103230.6 | 申请日： | 1999-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1230751A | 公开（公告）日： | 1999-10-06 |
| 发明（设计）人： | 天内正和 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/00 | 分类号： | G11C16/00;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括多个存储单元、行子译码器、行主译码器和减压装置。存储单元排列成矩阵形式。行子译码器选择存储单元的每行。行主译码器译码行地址信号并把控制信号输送给行子译码器。行主译码器是由至少一个具有PN结击穿电压的晶体管构成。减压装置在擦除操作期间降低PN结击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1．一种半导体存储器件，包括：排列成矩阵形式的多个存储单元；选择所述存储单元的每行的行子译码器；译码行地址信号并把控制信号输送给所述行子译码器的行主译码器，所述行主译码器是由至少一个具有PN结击穿电压的晶体管构成；和用于在擦除操作期间减少PN结电压的减压装置。
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