[发明专利]半导体存储器件无效
申请号: | 99103356.6 | 申请日: | 1999-03-16 |
公开(公告)号: | CN1229994A | 公开(公告)日: | 1999-09-29 |
发明(设计)人: | 小椋刚 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | G11C11/40 | 分类号: | G11C11/40 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏,余朦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一可在一宽范围的电源电压下操作,且能够稳定地检测数据的半导体存储器件,包括一电势检测器,用于检测一哑位线的电势,该哑位线具有等位线的寄生电容的寄生电容;和相应于各位线提供的多个第二预充电电路,用于响应于一预充电信号对各位线预充电,并响应于电势检测器的输出终止该预充电操作。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.半导体存储器件,包括:多个位线,分别有多个存储单元连接其上;相应上述各位线提供的多个第一预充电装置,用于响应一预充电信号,将上述各位线预充电至第一电势;和相应于上述个位线提供的多个第二预充电装置,用于响应于预充电信号,将上述各位线预充至第二电势。
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