[发明专利]互联系统及其生产方法无效
| 申请号： | 99103357.4 | 申请日： | 1999-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1236975A | 公开（公告）日： | 1999-12-01 |
| 发明（设计）人： | 松浦和则 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的互联系统包括用化学气相淀积法形成的互联膜,其中所述互联膜包括其杂质浓度不同的上层和下层。使用单个腔室由化学气相淀积法生产包括上层和下层的互联膜的方法包括通过将所述腔室抽真空和向该腔室中通入反应气体,在凹口中淀积下层的下层形成步骤;随后减小从反应气体中分解出来并留在腔室中的杂质的分压的清洁步骤;以及随后通过向腔室中通入反应气体,在下层上淀积上层的上层形成步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 联系 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1．一种互联系统，包括用化学气相淀积法形成的互联膜，其特征在于，所述互联膜包括上层和下层，在所述上层和下层中杂质的浓度不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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