[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种改进的半导体器件及其制造方法，其中没有导致由叠加层间绝缘层引起的铁电电容器特性的退化。该新方法在电容器上形成层间绝缘层，以便具有相对于电容器的拉应力。层间绝缘层可以是低温氧化层，并是PE-TEOS、USG和ECR-OX层中的一种。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成具有扩散层的集成电路；在所述半导体衬底上形成第一层间绝缘层；在所述第一层间绝缘层上形成由下电极、铁电膜和上电极构成的铁电电容器；形成第二层间绝缘层以覆盖所述铁电电容器和所述第一层间绝缘层，其中第二层间绝缘层由相对于铁电电容器具有拉应力的低温氧化物层构成；在所述第二层间绝缘层中和所述第二和第一层间绝缘层中在分别对应于所述下电极和所述扩散层的位置形成第一接触孔；在氧气氛中进行第一次退火；在所述第一接触孔中淀积第一金属层以形成与所述扩散层和下电极电连接的第一金属互连；形成第三层间绝缘层以覆盖所述第一金属互连和所述第二层间绝缘层，其中第三层间绝缘层由相对于铁电电容器具有拉应力的低温氧化物层构成；在所述第三和第二层间绝缘层中在对应于所述上电极的位置形成第二接触孔；在氧气氛中进行第二次退火；和在所述第二接触孔中淀积第二金属层以形成与所述上电极电连接的第二金属互连。