[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 99103534.8 | 申请日： | 1999-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1139972C | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 小田典明;今井清隆 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在同一平面上形成多条布线；在已形成布线的平面上形成第一SiOF绝缘膜，并除去布线上表面的第一绝缘膜；将氟掺入保留在布线间隙部分的第一绝缘膜；在保留下的第一绝缘膜和布线的上表面上形成第二SiOF绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体器件的制造方法，其特征在于包括：在同一平面上形成多条布线的步骤；在已形成布线的平面上形成第一SiOF绝缘膜，并除去布线上表面的第一绝缘膜的步骤；将氟掺入保留在布线间隙部分的第一绝缘膜的步骤；在所述保留下的第一绝缘膜和所述布线的上表面上形成第二SiOF绝缘膜的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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