[发明专利]一种在硅基质中成形内埋板的方法

摘要

一种在硅基质中成形内埋板的方法，该方法使用在其中刻有深沟的硅基质。在所述沟中形成高度掺杂的多晶硅层。然后在所述沟中在所述多晶硅层上面形成一个氮化物层。在形成所述多晶硅层和所述氮化物层之后，将多晶硅层和氮化物层从所述沟的侧壁的某些最上面部分除去。以露出位于所述侧壁的最上面部分的硅基质。在露出位于所述侧壁最上面部分的外露的硅基质上形成一个环形氧化物层，从而防止所述多晶硅层的任何边缘因蚀刻步骤而外露。

主权项

1.一种在硅基质中成形内埋板的方法，该硅基质上具有刻入其中的深沟，该沟具有限定该沟的深度的侧壁，所述方法包括：在所述沟中形成一个高度掺杂的多晶硅层；在所述沟中于所述多晶硅层上形成一个氮化物层；在形成上述多晶硅层和上述氮化物层之后，从所述沟侧壁的最上面部分蚀刻所述多晶硅层和所述氮化物层，从而露出位于所述侧壁的最上面部分的所述硅基质，和在露出所述硅基质之后，在位于所述侧壁的最上面部分的外露的硅基质层上面形成一个环形氧化物层，以便保护由所述蚀刻步骤露出的所述多晶硅层的边缘。