[发明专利]半导体器件的制造工艺无效
| 申请号： | 99103859.2 | 申请日： | 1999-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1115717C | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杉山智 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/316;C23C16/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,张志醒 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制造工艺，它包括：把硅烷化合物和掺杂剂注入低压化学汽相淀积反应器，以便在晶片上淀积掺杂的硅薄膜；以及在淀积结束时，注入氧化气体，以便在淀积于反应器内的硅薄膜上形成氧化物薄膜。按照本发明，能够有效地把在淀积步骤中异常生长或形成的诸如颗粒等杂质减到最少，以提高产量并提供优质和高可靠性的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造工艺，包括：把硅烷化合物和掺杂剂注入低压化学汽相淀积反应器，以便在晶片上淀积掺杂的硅薄膜；在形成所述氧化物薄膜之后把反应器向大气敞开，以便用新的准备进行下一批淀积的晶片代替所述晶片；在淀积结束时，注入氧化气体，便在淀积于反应器内的硅薄膜上形成氧化物薄膜；其中，所述低压化学汽相淀积反应器包括多个气体注入器，后者不仅包括硅烷化合物用的注入器，而且包括掺杂剂用的注入器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99103859.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件及其制造方法
- 下一篇：移动数据业务的系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
