[发明专利]半导体集成电路器件和制造半导体集成电路器件的方法

摘要

在半导体衬底上形成使第一阱形成区和第二阱形成区露出的光致抗蚀剂图形，它被用作掩模，把杂质掺入半导体衬底，由此形成埋置n阱，并进一步被用作掩模，把杂质掺入半导体衬底，由此以自对准方式在埋置n阱上形成浅p阱。接着，去除光致抗蚀剂图形。此后，在半导体衬底主表面上形成使第一阱形成区的外围区和第三阱形成区露出的光致抗蚀剂图形，并被用作掩模，把杂质掺入半导体衬底，由此形成浅p阱。

主权项

1.一种制造半导体集成电路器件的方法，包括步骤：a)在半导体衬底主表面上制作使第一阱形成区和在离第一阱形成区一定距离处形成的第二阱形成区曝露的第一掩模；b)用上述的第一掩模作掺杂掩模把杂质掺入上述的半导体衬底以致在上述的第一阱形成区和第二阱形成区中的半导体衬底的深部位处形成第一导电类型埋置阱区；c)用上述的第一掩模作掺杂掩模把杂质掺入上述的半导体衬底以致在上述的第一阱形成区和上述的第二阱形成区中的上述的第一导电类型埋置阱区上形成第二导电类型浅阱区；d)在半导体衬底主表面上形成使包围第一阱形成区中第一导电类型埋置阱区外围及第一阱形成区中第二导电类型浅阱区外围的第三阱形成区以及在离上述第一阱形成区一定距离处形成的第四阱形成区曝露、且通过比上述第一掩模薄的第二掩模；和e)用上述的第二掩模作掺杂掩模把杂质掺入上述的半导体衬底以致在上述第三阱形成区内形成包围上述的第一阱形成区中的第二导电类型浅阱区的外围、并浅于第一阱形成区中第一导电类型埋置阱且与第一阱形成区中的第一导电类型埋置阱区电连接的浅阱区，并且以致在上述的第四阱形成区中形成浅于第一阱形成区中第一导电类型埋置阱的第一导电类型浅阱区，其中，在上述的第一阱形成区内，在上述的第一阱形成区中的第二导电类型浅阱区被在上述的第三阱形成区中的形成的第一导电类型浅阱区和在上述的第一阱形成区中的第一导电类型埋置阱区包围并与半导体衬底电隔离。