[发明专利]可切换的多位半导体存储装置无效
| 申请号： | 99104083.X | 申请日： | 1999-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1131524C | 公开（公告）日： | 2003-12-17 |
| 发明（设计）人： | 伊藤孝 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 姜郛厚,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 在可切换的多位DRAM中，除主位线对(BLM、/BLM)和主读出放大器(26)外，还设有副位线对(BLS、/BLS)和副读出放大器(27)，将晶体管(28、29)连接在主位线对(BLM、/BLM)与副位线对(BLS、/BLS)之间，并将晶体管(30)、基准晶体管(31)、晶体管(32)连接在主位线(BLM)与互补副位线(/BLS)之间。通过控制这些部件，可将存储单元(20)作为4值存储器使用，或作为2值存储器使用。因此，可以切换存储容量和耗电量。 | ||
| 搜索关键词： | 切换 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，备有：各自包含存储电容器(22)的多个动态存储单元(20)；模式设定装置，用于设定第1模式或第2模式；及写入/读出电路(WL、BLM、/BLM、BLS、/BLS、26～32、40)，在第1模式中，通过将上述存储电容器(22)充电为第1多个电压中的任何一个电压而将数据信号写入上述动态存储单元(20)，且将该数据信号从上述动态存储单元(20)读出，在第2模式中，通过将上述存储电容器(22)充电为比第1多个电压多的第2多个电压中的任何一个电压而将数据信号写入上述动态存储单元(20)，且将该数据信号从上述动态存储单元(20)读出。
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