[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 99104302.2 | 申请日： | 1999-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1229998A | 公开（公告）日： | 1999-09-29 |
| 发明（设计）人： | 天内正和 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一半导体器件包括能用低耐压晶体管实现且不使用额外电荷泵的电平移动电路。该电平移动电路10控制传输门的开/关,传输门为n沟道晶体管N1。电平移动电路具有接收电压模式选择信号HVON和输入信号IN的NAND门11;串联连接在NAND门的输出和－9V电荷泵输出Vncp之间的p沟道晶体管P2、n沟道晶体管N4和N6;其输入端接电压模式选择信号HVON和通过反相器12输入的输入信号IN的NAND门13;和串联连接在NAND门13的输出和电荷泵输出Vncp之间的P沟道晶体管P3、n沟道晶体管N5和N7。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件，包括：-电平移动电路，具有接收输入信号的第一导电类型晶体管和接收第一导电类型晶体管的输出信号的第二导电类型晶体管，所述电平移动电路响应所述输入信号控制一输出信号；-控制所述第一导电类型晶体管的操作的控制装置，位于第一导电类型晶体管中；和-降压装置，用于降低施加到所述第二导电类型晶体管的电压。
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