[发明专利]超薄单相金属导体扩散阻挡层有效
| 申请号： | 99104442.8 | 申请日： | 1999-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1134060C | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | S·A·科恩;K·P·罗德贝尔;F·R·麦菲利;J·J·尤卡斯;C·I·诺延;R·罗森伯格 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,陈景峻 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明旨在提供α-W层，用于如沟槽电容器或镶嵌布线级等互连结构中作为扩散阻挡层。该α-W层是单相材料，是利以用六羰基钨W(CO)6作源材料的低温/低压化学汽相淀积形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 单相 金属 导体 扩散 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括在其一部分上具有α-W层的至少一材料层，和在所说α-W层上形成的导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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