[发明专利]P沟道槽型金属氧化物半导体场效应晶体管结构无效
| 申请号： | 99105188.2 | 申请日： | 1999-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN1166002C | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·M·金策 | 申请（专利权）人： | 国际整流器有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 徐泰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种槽型功率MOSFET，包括：外延淀积的垂直的可逆N型沟道区域，所述可逆N型沟道区域设置在P型漏极区域之上；沿着所述可逆N型沟道区域延伸的栅极氧化物和形成于该栅极氧化物上的P型栅极，设置成可施加一个电压使邻近所述栅极氧化物的所述可逆N型沟道区域的导电类型逆转；以及在所述可逆N型沟道区域内形成的P型源极区域；所述垂直的可逆N型沟道区域沿其整个长度具有恒定的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种槽型功率MOSFET，包括：外延淀积的垂直的可逆N型沟道区域，所述可逆N型沟道区域设置在P型漏极区域之上；沿着所述可逆N型沟道区域延伸的栅极氧化物和形成于该栅极氧化物上的P型栅极，设置成可施加一个电压使邻近所述栅极氧化物的所述可逆N型沟道区域的导电类型逆转；以及在所述可逆N型沟道区域内形成的P型源极区域；所述垂直的可逆N型沟道区域沿其整个长度具有恒定的浓度。
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