[发明专利]同步猝发半导体存储器件有效
| 申请号： | 99105435.0 | 申请日： | 1999-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1244018A | 公开（公告）日： | 2000-02-09 |
| 发明（设计）人： | 金修彻;朴熙哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜,余朦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 带有流水线多位预取结构的同步猝发半导体存储器件包括分别用于读和写猝发模式的分离的内部地址发生器。同步存储器件还采用用以减少核心周期时间的自动跟踪位线设计,用于减少电流的缩短主数据线,通过双轨复位动态电路而具有高速传送特性的噪声免除电路,和与输出数据同步以保证处理器数据有效性校验时间的选通时钟。 | ||
| 搜索关键词： | 同步 猝发 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种与外部时钟信号同步操作的半导体存储器件，包括：包括储存数据位的多个存储单元的存储单元阵列；响应外部地址的第一内部地址发生器，产生用于读/写操作的一系列第一内部地址；响应外部地址的第二内部地址发生器，产生用于写/读操作的一系列第二内部地址；用于选择第一和第二内部地址发生器的输出之一的地址选择器；响应外部施加读和写命令信息控制第一和第二内部地址发生器和地址选择器的操作的控制器；和响应外部施加读和写命令信息解码地址选择器的输出以选择存储单元的地址解码器。
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