[发明专利]半导体存储器件无效
申请号: | 99105496.2 | 申请日: | 1999-04-08 |
公开(公告)号: | CN1126176C | 公开(公告)日: | 2003-10-29 |
发明(设计)人: | 高石芳宏 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在一种利用折叠位线系统的半导体存储器件中,多条位线被放置于水平方向上,而多条字线放置于垂直方向。多个器件区域图案被设置为与位线和字线相交。相邻器件区域图案之间间隔距离等于第一间隔,而相邻器件区域图案的最接近部分之间的间隔距离等于第二间隔。每个器件区域图案与位线形成预定角度,使得第一间隔超过第二间隔。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
1、一种利用折叠位线系统的半导体存储器件,其特征在于,其中包括:被放置于水平方向上的多条位线;放置于垂直方向的多条字线,所述位线与所述字线相互垂直相交;被设置为与所述位线和所述字线相交的多个器件区域图案;所述器件区域图案在两端具有第一布线图案,在中央部分具有第二布线图案;电容接点分布在每个所述第一布线图案中;位接点分布在所述第二布线图案中;相邻器件区域图案之间的间隔距离等于对应于电容接点之间的最接近垂直距离的第一间隔;所述相邻器件区域图案的最接近部分之间的间隔距离等于第二间隔,每个所述器件区域图案与位线形成不超过26度的角度,使得第一间隔超过第二间隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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