[发明专利]半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 99105496.2 申请日: 1999-04-08
公开(公告)号: CN1126176C 公开(公告)日: 2003-10-29
发明(设计)人: 高石芳宏 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱进桂
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在一种利用折叠位线系统的半导体存储器件中,多条位线被放置于水平方向上,而多条字线放置于垂直方向。多个器件区域图案被设置为与位线和字线相交。相邻器件区域图案之间间隔距离等于第一间隔,而相邻器件区域图案的最接近部分之间的间隔距离等于第二间隔。每个器件区域图案与位线形成预定角度,使得第一间隔超过第二间隔。
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【主权项】:
1、一种利用折叠位线系统的半导体存储器件,其特征在于,其中包括:被放置于水平方向上的多条位线;放置于垂直方向的多条字线,所述位线与所述字线相互垂直相交;被设置为与所述位线和所述字线相交的多个器件区域图案;所述器件区域图案在两端具有第一布线图案,在中央部分具有第二布线图案;电容接点分布在每个所述第一布线图案中;位接点分布在所述第二布线图案中;相邻器件区域图案之间的间隔距离等于对应于电容接点之间的最接近垂直距离的第一间隔;所述相邻器件区域图案的最接近部分之间的间隔距离等于第二间隔,每个所述器件区域图案与位线形成不超过26度的角度,使得第一间隔超过第二间隔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社,未经日本电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/99105496.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top