[发明专利]发光二极管的制造方法

摘要

发光二极管的制造方法，当n-型GaAs衬底的上表面相对于(100)面倾斜角度θ时，正电极(11a)形成在厚度为‘d’的电流扩散层(10)的表面状部位(10A)上，反映电流阻挡部位(9A)形状的表面状部位，从与方向(E1)相反的方向(F1)位移大约(d/tanθ)，在方向(E1)表面状部位(10A)已经相对于电流阻挡部位(9A)位移。因此，在电流阻挡部位(9A)上的正确位置形成正电极(11a)。

主权项

1.一种发光二极管的制造方法，包括以下工序：在第一导电类型的半导体衬底(1，21，41)上表面上形成发光层(4，5，6；24，25，26；44，45，46)，该上表面相对(100)面倾斜特定的角度θ(θ＞0)，然后在发光层(4，5，6；24，25，26；44，45，46)上形成第一导电类型的电流阻挡层(9，29，49)；部分去除电流阻挡层(9，29，49)，其中剩余的电流阻挡层包括一个或多个电流阻挡部位(9A，29A，49)；在剩余的电流阻挡层和发光层上，形成特定厚度‘d’的第二导电类型的AlxGayIn1-x-yP(0≤x≤1，0≤y≤1)电流扩散层(10，30，50)，其中在相对于剩余电流阻挡层在第一方向位移的并且与剩余电流阻挡层表面平行的位置，电流扩散层具有一个或多个反映剩余电流阻挡层形状的成型部位(10A，30A，50)；以及在对应于一个或每个电流阻挡部位(9A，29A，49)的一个或每个成型部位(10A，30A，50)表面上，按照在与第一方向相反的第二方向位移0.5×(d/tanθ)～1.5×(d/tanθ)以补偿在成型部位的第一方向的位移的方式，形成电极(11，31，51)，其中，第一方向是垂直于[100]矢量的矢量在下述过程之后的方向，即在垂直于半导体衬底的平面内，在[100]矢量朝衬底的法向矢量旋转的方向上旋转角度θ，以使该垂直于[100]矢量的矢量平行于半导体衬底表面。