[发明专利]对氢暴露具有低敏感度的铁电集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 99105527.6 | 申请日： | 1999-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1139979C | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·D·库奇亚若;古谷晃;卡洛斯·A·帕斯德阿劳约;宫坂洋一 | 申请（专利权）人： | 塞姆特里克斯公司;日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/316 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在集成电路中的铁电薄膜(124)上面形成氢阻挡层(128)。氢阻挡层在铁电薄膜的受保护段(123)正上方，同时铁电薄膜的牺牲段(125)横向延伸超出氢阻挡层的边沿(129)。牺牲段吸收氢使之不能横向扩散到铁电薄膜的受保护段。它吸收氢之后，将牺牲段蚀刻掉以允许对它下面的电路层的电连接。铁电薄膜最好包括分层超晶格化合物。加入铌酸锶铋钽物质的标准母体溶液中的过量铋或铌有助于减少铁电性质的氢降级。 | ||
| 搜索关键词： | 暴露 具有 敏感度 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造集成电路的方法，包括下述步骤：提供基片(122)；在所述基片(122)上形成金属氧化物物质的薄膜(124)，及在所述金属氧化物物质的薄膜(124)上面形成氢阻挡层(128)，其特征在于所述金属氧化物物质薄膜(124)具有受保护的段(123)及牺牲段(125)，以及所述氢阻挡层(128)在所述受保护的段(123)的正上方但不在所述牺牲段(125)的正上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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