[发明专利]制造热电偶检测器的方法无效
| 申请号： | 99105587.X | 申请日： | 1999-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1155122C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 金寅式;金泰润 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;G01N21/27;G01K7/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 热电偶检测器及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成隔膜；在隔膜的指定区域上形成热电偶；在热电偶上形成保护膜；在保护膜上形成光致抗蚀剂和从指定区域上除去光致抗蚀剂；在包含光致抗蚀剂的整个表面上形成黑体和除去残余的光致抗蚀剂及光致抗蚀剂上的黑体，该黑体由Ru，Ir，RuOx或IrOx组成；从衬底背面的指定区域上除去部分衬底以便暴露隔膜，由此与已有半导体制造过程兼容，提高了产量，并控制黑体的均匀特性。由于有良好结合力的黑体，故能提高产量和降低热电偶生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 热电偶 检测器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造热电偶检测器的方法，该方法包括的步骤有：在衬底上形成隔膜，在隔膜的指定区域上形成热电偶，在热电偶上形成黑体，该黑体由Ru，Ir，RuOx或IrOx组成，通过下列步骤在热电偶上形成黑体：在隔膜上形成保护膜，在保护膜上形成光致抗蚀剂并从指定区域上除去光致抗蚀剂，和在光致抗蚀剂和保护膜的上表面上形成黑体，并用搬移法除去残余的光致抗蚀剂和光致抗蚀剂上的黑体部分，从衬底背面的指定区域上除去一部分衬底从而暴露出隔膜。
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