[发明专利]能够完成高速读出操作的半导体存储器器件无效
| 申请号： | 99105635.3 | 申请日： | 1999-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1232267A | 公开（公告）日： | 1999-10-20 |
| 发明（设计）人： | 秋冈利明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器器件具有连接到字线和位线的存储器单元。存储器单元用于存储对应于第一到第四阈值电压的两位数据。第一阈值电压低于第二阈值电压,第二阈值电压低于第三阈值电压,第三阈值电压低于第四阈值电压。半导体存储器器件包括用于有选择地将第一到第三读出电压提供给字线的供电器件。第一读出电压为第一和第二阈值电压之间的一个值。第二读出电压为第二和第三阈值电压之间的一个值。第三读出电压为第三和第二阈值电压之间的一个值。供电器件首先将第二读出电压提供给字线。读取部分连接到位线并根据第一到第三读出电压读取存储器单元的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 完成 高速 读出 操作 半导体 存储器 器件 | ||
【主权项】：
1．一种半导体存储器器件，包括连接到字线和位线的用于存储对应于第一到第四阈值电压的两位数据的存储器单元，所述第一阈值电压低于所述第二阈值电压，所述第二阈值电压低于所述第三阈值电压，所述第三阈值电压低于所述第四阈值电压，所述存储装置包括：供电器件，用于有选择地对所述字线提供第一到第三读出电压，所述第一读出电压为所述第一和第二阈值电压之间的一个值，所述第二读出电压为所述第二和第三阈值电压之间的一个值，所述第三读出电压为所述第三和第二阈值电压之间的一个值，所述供电器件首先将所述第二读出电压提供给所述字线；和读取器件，连接到所述位线，用于根据所述第一到所述第三读出电压读出所述存储器单元内的所述数据。
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