[发明专利]半导体存储器

摘要

一种半导体存储器,其中读写脉宽控制电路2在读出动作时设读写脉宽控制信号I2RW的脉宽小,在写入动作时大。列译码器3输出脉宽与信号I2RW相同的列选择信号Y,列选通器4在列选择信号Y处于高电平时,把位线对BL、XBL与数据线对DL、XDL连接起来。在读出动作时,可保证有足够的期间均衡数据线对的电位;在写入动作时,可保证足够的数据线对与位线对的连接期间。这样,可实现高速且稳定的读写动作。

主权项

1．一种半导体存储器，其特征在于包括：具有配置成矩阵形状的多个存储单元的存储单元阵列；对应于上述存储单元阵列中的每一个列分别设置的多个位线对；向上述存储单元阵列传送写入数据并从上述存储单元阵列传送读出数据的数据线对；在读出动作和写入动作中，选择上述多个位线对之中的一个位线对，从而控制切换所选出的一个位线对与上述数据线对之间的连接/非连接状态的控制装置；在读出动作中，在上述多个位线对中无任何一个也连接于上述数据线对之期间，将上述数据线对的电位均衡起来的均衡装置；以及在写入动作中，按照已输入的数据来驱动上述数据线对的写入放大器，上述控制装置被设计为：即使在读出动作和写入动作的周期相同的情况下，可在读出动作和写入动作中分别设定不同的上述一个位线对与上述数据线对的连接期间。