[发明专利]半导体多值存储器件

摘要

一种半导体多值只读存储器件，将多值数据存储在一个存储单元阵列(21a)中，而将多值参考数据存储在一个参考单元阵列(22a/22b/22c)中，为了读出该多值数据及对应的多值参考数据，在不同定时(t11/t12/t13)逐级地将字线(WL)及参考字线(Wla/WLb/WLc)变为多种不同的有效电平(VG1/VG2/VG3)，以通过对每个多值数据与多值参考数据进行比较来确定其值，从而使其不会受到偏移阈值及无意中被偏移的有效电平的影响。

主权项

1.一种半导体多值存储器件，包括：存储单元阵列(21a)，其包括多个存储单元(C001-C007/Cn1-Cn7/Cxx1-Cxx7)，用于存储选择性地表示多于两个的值的多条数据信息；寻址电路(21b/21c/21d/21e/21f/21g/SAM00-SAMxx)，其具有多条选择性地与所述多个存储单元相连的选择线(WL/WL00-WLxx)，并用于驱动所述选择线中的至少一条以在对应于所述多于两个的值的不同定时读出所述多条数据信息；参考信号发生器(22；32；42；52)，其用于产生参考数据信息(RS)；及数据鉴别器(DF00-DFxx/CV00-CVxx/21h/21j)，其与所述存储单元阵列及所述参考信号发生器相连并用于根据从所述存储单元阵列中读出的参考数据信息确定每条数据信息的值以产生输出数据信号(DS00-DSxx)，其特征在于所述寻址电路提供了从所述数据鉴别器(SAM00-SAMxx)到与所述选择线(WL00-WLxx)的至少一条相连的被选中的场效应晶体管(C001-C007/Cn1-Cn7/Cxx1-Cxx7)的第一电流通路(SAM00-SAMxx/MD/21f/21e/SD01-SD12)，所述参考信号发生器(22；32；42；52)包括多个用于存储分别代表所述多于两个的值的所述参考数据信息的子信息段的参考单元(Rca/RCb/RCc)，以及参考选择线(RWLa/RWLb/RWLc/)，其分别与所述多个参考单元相连，并被选择性地驱动，以在从所述不同定时中选择并与所述多于两个的值中的至少两个对应的定时(t12/t13/t14；t22/t23/t24)读出所述每条数据信息的所述子信息段，在所述定时顺序地向分别用作所述参考单元(RCa/RCb/RCc)的场效应晶体管提供第二电流通路(22k/22g-22j/RMD1-RMD3/22e/22m-22p；32b/32a/RMD1-RMD3；42c/42a/RMD/42d/SDa；42c/42a/RMD/52c/SD)。