[发明专利]半导体存储器及其制造方法

摘要

在SRAM存储器中，由N型MOS晶体管构成的每个驱动MOS晶体管的阈值电压(Vthn)被设置为大于由P型MOS晶体管构成的用于选择地址的每个MOS晶体管的阈值电压(Vthp)。

主权项

1.一种具有第一和第二位线以及一字线的半导体存储器，其特征在于包括：用于驱动的一第一MIS晶体管，第一MIS晶体管具有一第一输入电极和一第一输出电极，并具有第一导电类型和第一阈值电压；用于驱动的一第二MIS晶体管，第二MIS晶体管具有一第二输入电极和一第二输出电极，并具有第一导电类型和第一阈值电压，第一输入电极与第二输出电极连接，而第二输入电极与第一输出电极连接；用于驱动的一第三MIS晶体管，第三MIS晶体管是连接在第一位线和第一输出电极之间，并具有一第三输入电极和具有第二导电类型和第二阈值电压，第三输入电极与字线连接，而第二导电类型是与第一导电类型相反的导电类型；以及用于选择地址的一第四MIS晶体管，第四MIS晶体管是连接在第二位线和第二输出电极之间，并具有一第四输入电极和具有第二导电类型和第二阈值电压，第四输入电极连接到字线，第一阈值电压大于第二阈值电压。