[发明专利]形成微晶硅系列薄膜的工艺和适于实施所述工艺的装置

摘要

形成微晶硅系列薄膜的工艺包括：在真空室中与电极相对设置长衬底。同时纵向传送长衬底。使用具有50MHz-550MHz范围内的振荡频率的高频功率使电极和长衬底之间辉光放电在长衬底上淀积微晶硅系列薄膜，其中，作为所述电极的多个棒状电极如此设置，即它们垂直于所述长衬底的法线，并且它们与所述长衬底的间隔全部或部分地不同，本发明还公开了适于执行所述工艺的装置。

主权项

1、用等离子体化学汽相淀积工艺形成微晶硅系列薄膜的工艺，包括：在真空室中设置衬底，以便与设置在所述真空室中的电极相对，同时传送所述衬底，使所述电极和所述衬底之间产生辉光放电，从而在所述衬底上淀积所述微晶硅系列薄膜，其特征在于：作为所述电极的多个棒状电极如此设置，即它们垂直于所述衬底的法线，并且它们与所述衬底的间隔全部或部分地不同，所述辉光放电是使用具有50MHz-550MHz范围内的振荡频率的高频功率产生的。