[发明专利]具有隔离轴环的沟槽电容器无效
| 申请号： | 99105969.7 | 申请日： | 1999-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1134845C | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | M·施雷姆斯 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 通过提供给轴环和沟槽底部的侧壁作衬里的节点介质，得到改进的沟槽电容器。另外，该沟槽电容器下部的直径基本等于或大于上部的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 沟槽 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽电容器，包括：在单晶半导体衬底中制成的沟槽，该沟槽包括上部区域和下部区域，其中下部区域的直径至少等于上部区域的直径；在沟槽的上部区域中、包括氧化物的隔离轴环；一介质层作为沟槽的上部区域中及沟槽的下部区域中的轴环的衬里，该介质层成为沟槽电容器的节点介质；填满沟槽的导电材料，而导电材料作为电容器的极板；和藉着在隔离轴环上方的连接条耦合到电容器的晶体管，连接条与电容器的第一极板接触，其中晶体管和电容器形成存储器单元。
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