[发明专利]非易失性半导体存储器件无效
| 申请号： | 99105999.9 | 申请日： | 1999-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1136580C | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 上久保雅规 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 电可擦可编程非易失性半导体存储器件，其数据是由读出放大器比较存储单元的输出和参考单元的输出而读出的。在该器件中，参考单元是嵌入的，因此它具有给定的阈电压值，并允许存储单元的栅极电压和参考单元的栅极电压独立设置。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种电可擦可编程非易失性半导体存储器件，其特征在于：数据是由读出放大器比较存储单元的输出和参考单元的输出而读出的；在时钟电路控制下，所述读出放大器将其输出通过比较器提供给校验控制电路；所述校验控制电路控制所述时钟电路和校验电压开关，所述校验电压开关将校验电压提供给行译码器和所述参考单元；所述行译码器将校验电压施加于选定的存储单元栅极，所述参考单元将所述校验电压施加于参考单元栅极；所述参考单元是嵌入的，使它具有给定的阈电压值，和允许所述存储单元的栅极电压和所述参考单元的栅极电压独立设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99105999.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储电路以及其中所使用的备份电路
- 下一篇：非易失性半导体存储器件
