[发明专利]同步半导体存储器件无效
| 申请号： | 99106102.0 | 申请日： | 1999-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1143320C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 谷口纯也;越川康二;三根浩二 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种同步半导体存储器件(100)包括在进入测试方式之后用于完成方式测试设置操作的电路。该器件(100)产生第一时钟信号ICLK。同时，时钟信号CSB可以被用以产生第二时钟信号CSCLK。ICLK和CSCLK可用于在测试方式中产生更高频率的时钟ICLK′。ICLK′信号被施加到内部电路(124)，使这种电路的操作速度更高。ICLK′信号不施加到方式寄存器设置电路(122)，从而避免由该电路锁存错误的方式设置值。 | ||
| 搜索关键词： | 同步 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种同步半导体存储器件，其特征在于，其中包括：第一输入接收器，可以接收第一外部时钟信号，并提供第一输入接收器的输出；第二输入接收器，可以接收第二外部时钟信号，并提供第二输入接收器的输出；第一脉冲发生电路，用于接收第一输入接收器的输出信号，并提供第一内部同步信号；第二脉冲发生电路，用于接收第二输入接收器的输出信号，并提供第二内部同步信号；一个或门，可以输出一内部同步信号(ICSB)；一逻辑门，响应至少第一输入接收器的输出和第二输入接收器的输出产生一改变的内部同步信号；一方式寄存器设置电路，可以接收内部同步信号(ICSB)和内部时钟信号(ICLK)，与第一输入接收器的输出同步地产生一测试方式启动信号；以及一内部电路，接收改变的内部同步信号。
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