[发明专利]具有低超导各向异性的掺镁高温超导体及其制造方法无效

专利信息
申请号: 99106249.3 申请日: 1999-03-25
公开(公告)号: CN1151513C 公开(公告)日: 2004-05-26
发明(设计)人: 伊原英雄;S·K·阿加瓦尔 申请(专利权)人: 日本国通商产业省工业技术院
主分类号: H01B12/00 分类号: H01B12/00;H01L39/02;H01L39/12;C04B35/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种掺Mg的高温超导体,其具有低的超导电各向异性,其包括由电荷储集层和超导电层所构成的两维层状结构,其中组成电荷储集层的一些或所有原子为Cu、O原子,使电荷储集层金属化或变为超导电层,构成超导电层的CunCan-1O2n的Ca的一部分可由Mg来取代,其增加了CuO2层之间的超导电耦合,增加了超导电层的厚度,因此使厚度方向上的相干长度根据测不准原理而增加,使超导电各向异性降低。
搜索关键词: 具有 超导 各向异性 高温 超导体 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种掺Mg的高温超导体,其具有低的超导电各向异性,其包括由电荷储集层和超导电层所构成的两维层状结构,其中组成电荷储集层的一些或所有原子为Cu、O原子,使电荷储集层金属化或变为超导电层,构成超导电层的CunCan-1O2n的Ca的一部分可由Mg来取代,其增加了CuO2层之间的超导电耦合,增加了超导电层的厚度,因此使厚度方向上的相干长度根据测不准原理而增加,使超导电各向异性降低。
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