[发明专利]沟槽电容器的低阻硅化物填充物无效
| 申请号： | 99106683.9 | 申请日： | 1999-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1116702C | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·P·甘姆比诺;阿尔莱克·格轮宁;杰克·A·曼得尔门;卡尔·J·莱得恩斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/822;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用难熔金属硅化物作为沟槽底部区中的沟槽电极元件的方法制造沟槽电容器。含有硅化物的沟槽电极呈现比相似尺寸的常规沟槽电极更小的串联电阻，从而能够降低基本尺寸存储器单元布局和/或降低单元存取时间。本发明的沟槽电容器特别适用于作为DRAM存储器单元的元件。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 电容器 低阻硅化物 填充物 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体衬底中制造沟槽电容器结构的方法，所述方法包含：(a)提供半导体衬底，此衬底具有(i)具有窄的顶部区和宽的底部区的沟槽、(ii)在所述衬底中围绕所述宽的底部区的电极、以及(iii)在所述电极处顺着所述沟槽形成的与电极共形的节点介质层；(b)用多晶硅层填充所述沟槽，使在所述沟槽的所述宽的底部区中留下空洞；(c)整平步骤(b)得到的结构；(d)清除所述沟槽的所述窄的顶部区中的多晶硅层，使所述沟槽的所述宽的底部区中的所述空洞暴露出来；(e)在所述窄的顶部区和所述宽的底部区中制作与沟槽共形的难熔金属层；(f)对所述结构进行退火，以便在所述沟槽结构的所述宽的底部区中形成难熔金属硅化物层；(g)从所述沟槽的所述窄的顶部区清除所述共形难熔金属层；(h)用多晶硅填充所述沟槽结构；以及(i)整平从步骤(h)得到的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
