[发明专利]制造集成电路存储器的方法及制造的集成电路存储器

摘要

通过在集成电路衬底上制造空间上分开的存储器单元场效应晶体管阵列和外围电路场效应晶体管，制造集成电路存储器器件。存储器单元晶体管包括存储器单元晶体管源和漏区及栅。外围电路晶体管包括外围电路晶体管源和漏区及栅。在存储器单元晶体管源和漏区上形成硅化物阻挡层。在存储器单元晶体管栅、外围电路源和漏区、栅上形成硅化物层。存储器单元晶体管源和漏区上没有硅化物层。可在存储器单元中提供低接触电阻不降低泄漏特性。

主权项

1、一种制造集成电路存储器器件的方法，包括以下步骤：在集成电路衬底上制造存储器单元场效应晶体管阵列和空间上与所述存储器单元场效应晶体管阵列分开的多个外围电路场效应晶体管，所述存储器单元晶体管包括彼此空间上分开的存储器单元晶体管源和漏区及它们之间的存储器单元栅，所述外围电路晶体管包括彼此空间上分开的外围电路晶体管源和漏区及它们之间的外围电路栅；在所述存储器单元晶体管源和漏区上形成硅化物阻挡层；和硅化集成电路衬底，由此，在所述存储器单元栅、在所述外围电路源和漏区上、在所述外围电路栅上形成一硅化物层，使得所述存储器单元晶体管源和漏区上没有硅化物层。