[发明专利]氮化镓单晶衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 99106909.9 | 申请日： | 1999-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1148810C | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 元木健作;冈久拓司;松本直树;松岛政人 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓单晶衬底及其制造方法。该衬底用HVPE法或MOC法制造，添加有作为表现出n型电子传导的掺杂剂的浓度为1×1016cm-3～1×1020cm-3的氧，且不具有其他材料的衬底部分。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓单晶 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓单晶衬底，其特征在于：该衬底用氢化物气相生长法或有机金属氯化物气相生长法制造，添加有作为表现出n型电子传导的掺杂剂的浓度为1×1016cm-3～1×1020cm-3的氧，氧的激活率为100％，且不具有其他材料的衬底部分。
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