[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 99106954.4 | 申请日： | 1994-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1143362C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 大谷久;宫永昭治;张宏勇;福永健司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造高稳定性的和高可靠性的半导体的方法，包括：在非晶硅膜表面覆盖以含有能加速非晶硅膜晶化的催化元素的溶液，并在此之后对非晶硅膜热处理,以使此膜晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.制造半导体器件的一种方法，其特征在于，它包括下列步骤：制备溶液，将含有促进硅晶化过程的催化剂的物质溶解在液体中或在液体中分散开；令所述溶液与绝缘表面上含硅的半导体膜的至少第一区接触；形成含所述催化剂的连续层，与所述半导体膜的所述第一区接触；和加热所述半导体膜使晶体沿平行于所述半导体膜表面的方向从半导体膜的所述第一区向毗邻所述第一部位的第二区生长；绘制所述半导体膜的布线图形于一岛中，使其形成所述半导体的一个有源区，所述岛不包括所述半导体膜的第一区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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