[发明专利]多位磁存储单元无效
| 申请号： | 99106982.X | 申请日： | 1999-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1237766A | 公开（公告）日： | 1999-12-08 |
| 发明（设计）人： | J·A·布鲁格;M·K·巴塔查尔亚 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,李亚非 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 多位磁存储单元包括具有一形状的数据存储层，预先选定该形状以提供至少三个畴状态，其中每个畴状态对应着特定的逻辑状态及数据存储层中磁化强度的特定取向。该多位磁存储单元包括具有磁化强度之固定取向的基准层，其是由取向角度定义的，其中预先选定取向角度来区分数据存储层的畴状态。 | ||
| 搜索关键词： | 多位磁 存储 单元 | ||
【主权项】：
1．一种多位磁存储单元，包括：数据存储层，其具有预先选定的提供至少三种畴状态的形状，其中每个畴状态对应着数据存储层中磁化强度的特定取向；基准层，其具有由一取向角度定义的磁化强度的固定取向，其中预先选定取向角度以区分数据存储层的畴状态。
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