[发明专利]薄膜半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 99107026.7 | 申请日： | 1995-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1130777C | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 宫坂光敏 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 为了利用可以使用廉价的玻璃基板的低温处理来制造高性能的薄膜半导体器件，在不到450℃的温度下形成硅膜、结晶化之后、在最高工作温度为350℃以下的条件下制造了薄膜半导体器件。当将本发明用于有源矩阵液晶显示器件的制造时，可以容易而且稳定地制造出大型高质量的液晶显示器件。而且，当用于其他的电子电路的制造时也可以容易而稳定地制造出高质量的电子电路。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜半导体器件的制造方法，该半导体器件至少在基板表面的一部分上设置作为绝缘性物质的衬底保护膜，进而在衬底保护膜上形成半导体膜，将该半导体膜作为晶体管的有源层，该方法的特征在于，包括以下工序：将等离子体化学汽相淀积装置抽真空的工序；在所述基板上设置所述衬底保护膜的工序；在所述衬底保护膜上设置所述半导体膜的工序；所述设置半导体膜的工序至少具有：在所述衬底保护膜上使上述半导体膜成膜的第1工序；和在不破坏真空的条件下连续地向该半导体膜照射氢等离子体的第2工序。
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