[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 99107446.7 | 申请日： | 1999-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1237767A | 公开（公告）日： | 1999-12-08 |
| 发明（设计）人： | 稻叶秀雄 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C11/413;H01L27/11 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储器件具有环形振荡器，该环形振荡器这样构成，使得其周期在到达提升电压之前变短，在到达提升电压之后变长，升压电路根据从环形振荡器输出的提升电压升高存储单元字线的电压。环形振荡器执行多次升压操作直到存储单元阵列的字线上的提升电压到达数据写入所需电压，在执行多次升压操作时使环形振荡器输出ROC的周期变短，在到达预定提升电压之后使环形振荡器输出ROC的周期变长，从而减少在该环形振荡器中的交流电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1．一种静态半导体存储器件，其中包括存储单元、分别连接到所述存储单元的字线以及包括一环形振荡器在内的连接到所述字线的字线升压电路，所述静态半导体存储器件由一低电压所驱动，其特征在于，所述升压电路的环形振荡器被形成为致使其响应内部命令信号，能够在高频驱动模式和低频驱动模式之间切换。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99107446.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
