[发明专利]多晶织构银基带的制造方法无效
| 申请号： | 99107453.X | 申请日： | 1999-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1076126C | 公开（公告）日： | 2001-12-12 |
| 发明（设计）人： | 刘丹敏;周美玲;胡延槽;翟乐恒;郭汉生 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24 |
| 代理公司： | 北京工大思达专利事务所 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶织构银基带的制造方法，属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜的制备技术领域。本发明提供的单组分｛１１０｝双轴织构银基带的制造方法，采用冷轧及再结晶退火的方法；单组分立方织构银基带的制造方法，采用温轧及再结晶退火的方法，都可得到多晶织构银基带。采用上述银带为基带，进行表面清洗后，采用准分子激光方法在其上直接沉积超导薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 织构银 基带 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种单组分{110}双轴织构银基带的制造方法，其特征在于：采用冷轧及再结晶退火的方法，它依次包括以下步骤：(1)取高纯度的厚银板或粉末冶金制成的银坯；(2)在室温下对银板或银坯进行冷轧，道次变形量为10～30％，总变形量大于75％；(3)在550℃～850℃真空退火20～50分钟。
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