[发明专利]形成氧化锌薄膜的方法和使用此薄膜制备半导体元件基体和光电元件的方法无效

专利信息
申请号: 99107463.7 申请日: 1999-02-05
公开(公告)号: CN1150353C 公开(公告)日: 2004-05-19
发明(设计)人: 园田雄一 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: C25D3/54 分类号: C25D3/54;C25D5/02;H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 龙传红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种在导电基体上通过从水溶液中电沉积形成氧化锌薄膜的方法,它能阻止薄膜沉积在基体的背面上。更具体地,在含有硝酸根离子的水溶液中提供用于阻止薄膜沉积在基体背面上的薄膜沉积阻挡电极,并且供给电流以得到“反电极>基体>薄膜沉积阻挡电极”的电位关系。该方法可应用于制备太阳能电池的工艺,由此改进了短路电流密度、光电转换效率、生产率和太阳能电池的耐用性。
搜索关键词: 形成 氧化锌 薄膜 方法 使用 制备 半导体 元件 基体 光电
【主权项】:
1.一种在导电基体上形成氧化锌薄膜的方法,通过在浸于一种或几种至少含有锌离子的水溶液中的导电基体和浸于至少一种该水溶液的反电极之间提供电流进行包括:在至少一种该水溶液中浸入一个或多个薄膜沉积阻挡电极以防止薄膜沉积在基体背面上;和以下列方式提供电流:薄膜沉积阻挡电极、导电基体和反电极之间的电位满足关系式“反电极>导电基体>薄膜沉积阻挡电极”或“反电极<导电基体<薄膜沉积阻挡电极”。
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