[发明专利]半导体器件清洗装置和清洗半导体器件的方法无效
| 申请号： | 99107491.2 | 申请日： | 1999-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1135604C | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 青木秀充 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/304;B08B1/00;B08B3/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件清洗装置，在进行用于表面的化学机械抛光工艺之后清洗半导体晶片表面。半导体晶片表面上放置滚刷以便与该表面接触。第一化学液体槽装有第一化学液体。第一排放喷嘴将第一化学液体喷射到半导体晶片表面上。第二化学液体槽装有第二化学液体。第二排放喷嘴将第二化学液体喷射到半导体晶片表面上。第一化学液体和第二化学液体是在滚刷和晶片旋转的条件下喷射到半导体晶片表面上的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件清洗装置，其用于在进行表面的化学机械抛光工艺之后清洗半导体晶片表面，该装置包括：放在半导体晶片表面上以便与晶片表面接触的滚刷；装有第一化学液体的第一化学液体槽；将第一化学液体喷射到半导体晶片表面上的第一排放喷嘴；装有第二化学液体的第二化学液体槽；将第二化学液体喷射到半导体晶片表面上的第二排放喷嘴；第一化学液体和第二化学液体在滚刷和晶片旋转的条件下喷射到半导体晶片表面上，其中第一液体、第二液体和纯水滴到滚刷上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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