[发明专利]一种在非织构基底上制备取向高温超导膜层的方法无效
| 申请号： | 99107799.7 | 申请日： | 1999-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1151515C | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 周岳亮;王荣平;王焕华;潘少华;吕惠宾;陈正豪;崔大复;杨国桢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01B12/06 | 分类号： | H01B12/06;H01L39/24;C04B35/50;C23C14/24 |
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| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于高温超导大电流传输技术范畴。本发明采用在电场中淀积的方法，在织构或非织构金属基底上制备钇钡铜氧高温超导膜层，使高温超导膜层的取向获得明显改善，超导膜层质量明显提高，从而获得了高临界电流密度。本发明既避免了轧制基带的特殊轧制过程，又避免对缓冲层的制备环节，具有质量高、简单、方便、适于产品化等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非织构 基底 制备 取向 高温 超导 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在非织构基底上制备取向高温超导膜层的方法，包括以下步骤：(1)在淀积生长室内，真空度至少为1Pa，将放在室内的非织构基底加热到600-800℃；(2)动态通氧，通氧量为维持淀积生长室内氧压在5-100Pa之间；(3)气压和温度都稳定在所需数值后，顺序开启钇钡铜氧陶瓷旋转靶、反射式激光束扫描器、可调方波电源和脉冲激光器，开始在非织构基底上淀积钇钡铜氧膜层；其中可调方波电源的输出幅度为0-1000v，脉冲激光器的波长为200-600nm，脉冲宽度为20-40ns，激光输出为50-400mJ/pulse，垂直场的场强为2-300v/cm，平行场的场强为2-300v/cm，淀积时间为20-120分钟；(4)沉积完毕，关闭钇钡铜氧陶瓷旋转靶、反射式激光束扫描器、可调方波电源和脉冲激光器，将非织构基底温度降低到400-500℃，同时将氧压升高到1大气压，进行膜层退火5-30分钟；然后将非织构基底温度在5-60分钟内降低至室温；(5)从淀积生长室中取出在非织构基底上制备的取向高温超导膜层。
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