[发明专利]用于制造半导体器件的触点的方法

摘要

制造半导体存储器件的触点的方法包括下列步骤在层间绝缘膜中形成接触孔直至露出半导体衬底的一部分；形成连接到接触孔下面的半导体衬底上的接触栓塞，其上表面比层间绝缘膜的上表面低；在层间绝缘膜上和接触孔的拓扑结构上形成第一导电层与接触栓塞电连接；用材料层填塞接触孔后在第一导电层上形成第二导电层，或在接触孔的两个侧壁的第一导电层上形成接触间隔层；使用接触电极形成掩模顺次腐蚀第二和第一导电层以形成接触电极。

主权项

1.用于制造半导体存储器件的触点的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成层间绝缘膜；选择腐蚀所述层间绝缘膜，直至所述半导体衬底的一部分露出为止，由此在其中形成接触孔；在所述接触孔中形成接触栓塞，其中所述接触栓塞连接到所述半导体衬底上，并具有比所述层间绝缘膜的上表面低的上表面；在所述层间绝缘膜上以及所述接触孔的拓扑结构上形成第一导电层，使之与所述接触栓塞电连接；用材料层填塞所述接触孔，所述材料层由相对于所述第一导电层和第二导电层具有蚀刻选择性的导电层或绝缘层制成；在包括所述材料层的所述第一导电层上形成第二导电层；以及使用接触电极形成掩模顺次腐蚀第二和第一导电层，由此形成接触电极。