[发明专利]掩模的制造方法

摘要

光掩模的制造方法，将第二数据的大小乘x产生第三数据。使用来自第一数据的第一连接数据和来自第三数据的第二连接数据合成第一数据和第三数据。检验合成数据中晶体管和布线的组合是否与布局设计所依据的电路匹配。改正有错误的部分。由改正的合成数据的第一数据和第一连接数据产生第一EB绘图图形数据。由改正的合成数据的第三数据和第二连接数据乘1/x产生第二EB绘图图形数据。第二EB绘图图形数据比第一EB绘图图形数据增加x倍。

主权项

1.光掩模的制造方法，通过使用布局设计得到的EB绘图图形数据 在光掩模上形成EB绘图图形，所述EB绘图图形数据由多个单元(211- 214)的分层结构中形成的第一数据(210，210a)和在多个单元(201-207)的 分层结构中形成的第二数据(200，200a)组成，所述第二数据以相对于第 一数据预定的放大比例x用在光掩模上，其特征在于包括 第一步骤，将所述第二数据的尺寸乘x产生第三数据； 第二步骤，使用来自所述第一数据的第一连接数据和所述第三数据 的第二连接数据合成所述第一数据和第三数据，产生合成数据； 第三步骤，检验合成数据中的单元组合是否与布局设计所依据的电 路相匹配，并改正通过检验发现有错误的部分； 第四步骤，由改正的合成数据的所述第一数据和所述第一连接数据 产生所述第一EB绘图图形数据； 第五步骤，通过改正的合成数据的所述第三数据和所述第二连接数 据乘1/x产生所述第二EB绘图图形数据； 第六步骤，使用所述第一EB绘图图形数据通过绘制/曝光形成在所 述光掩模上的所述第一EB绘图图形，以及使用所述第二EB绘图图形 数据通过绘制/曝光形成在光掩模上的所述第二EB绘图图形，同时所述 第二EB绘图图形数据相对于所述第一EB绘图图形数据增加x倍，从 而形成所述EB绘图图形，其中所述第一EB绘图图形和第二EB绘图图 形的曝光是分别进行的，并且在曝光时，所述增加x倍进行曝光的第二 EB曝光图形与进行第一EB曝光图形的形成顺序可以更换。