[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，在延长漏极区(3)内部，形成P型埋入区(2)。用高能量硼离子注入法或者热扩散法形成P型埋入区(3)通过用离子注入法或POCl₃扩散法，往延长漏极区的一部分表面或者整个表面掺入磷或砷等杂质，而形成N型高浓度区1。MOSFET动作时，由于漏极电流流过N型高浓度区(1)，所以通态电阻被减小了。

主权项

1.一种半导体装置，备有：第1导电型半导体衬底、形成在上述半 导体衬底内的第2导电型源极区、形成在上述半导体衬底内的第2导 电型漏极区、在上述源极区和漏极区之间所设置的沟道区以及形成在 上述沟道区上方的栅极电极；其特征在于： 备有： 至少有一部分被包含在上述漏极区内的第1导电型埋入区， 至少被设置在上述半导体衬底的表面和上述埋入区之间、一部分 与漏极相接触、并且其中的第2导电型杂质浓度比上述漏极区的第 2导电型杂质浓度还高的高浓度区， 在上述漏极区的周围形成的并且还与上述埋入区相连接的第1导 电型的杂质扩散区。