[发明专利]圆柱型α-六水硫酸镍晶体的生长方法无效

专利信息
申请号: 99108240.0 申请日: 1999-06-01
公开(公告)号: CN1119438C 公开(公告)日: 2003-08-27
发明(设计)人: 苏根博;贺友平;李征东;江日洪 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B7/08 分类号: C30B7/08;C30B29/10
代理公司: 福州科扬专利事务所 代理人: 徐开翟,林朝熙
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: α-六水硫酸镍(简称α-NSH)晶体主要用作紫光滤光器材料,该晶体用降温法(或蒸发法)以小晶体自由生长的外形为四方双锥体,而滤光器材料大都为圆柱体。本发明首次进行定向导模生长α-NSH晶体的新方法,直接生长出与光轴垂直的圆柱状晶体,多次实验证明方法可行。该方法对比常规方法(小晶体自由生长)提高晶体生长效率,降低晶体加工成元件的损耗,加工时间和造价,可降低成本三倍以上,有显著的应用和经济效益。
搜索关键词: 圆柱 硫酸镍 晶体 生长 方法
【主权项】:
1.一种圆柱形α-六水硫酸镍晶体的生长方法,其特征在于采取如下的技术步骤:(1)、(001)圆片籽晶的制作:根据α-NSH晶体光学滤波元件的直径大小,从α-NSH晶体中解理磨制出直径与元件直径相匹配,厚度为1~3mm的(001)方向的圆片籽晶;(2)、采用K9玻璃管(厚3mm,内径与籽晶直径相匹配),切割出30~40mm长的圆筒作为导模器;(3)、载晶板:用有机玻璃板作为载晶板,有机玻璃棒作为转动杆;(4)、生长方法:将上述(1)制作的六个(001)方向的α-NSH籽晶分别用胶粘合在上述(3)的载晶板上,然后将上述(2)中制作的玻璃圆筒导模器套在籽晶上并粘合在载晶板上;待粘合剂干后将该载晶板置于烘箱中在比α-NSH溶液饱和点55℃高2~3℃的环境下预热后移入饱和溶液中进行(001)方向的定向导模降温法生长,通过控制生长溶液的降温速率使(001)方向的晶体生长速度为1~1.5mm/天,得到圆柱形的α-NSH单晶;最后用少量蒸馏水溶解玻璃导模筒口与晶体接触的边缘即可使晶体从玻璃套筒中取出。
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