[发明专利]监测电荷中和过程的方法和装置有效
| 申请号： | 99108300.8 | 申请日： | 1999-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1165981C | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | M·E·马克;M·法兰德;D·J·菲斯;P·E·卢斯蒂伯 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01J37/317 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京;杨松龄 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 电荷中和监测器(300)监测用于离子注入系统(100)的电荷中和系统(120)的运行过程，该电荷中和系统(120)在离子束(102)处理一个或多个工件(132)时穿行的区域(222)内产生中和电子(202)。该电荷中和监测器(300)为靶电极(220)施加一个合适的电压(332)，靶电极(332)捕获电荷中和系统(120)产生的中和电子(202)。然后电荷中和监测器(300)通过监测流过靶电极(220)的电流而测量上述电荷中和系统(120)可能产生的中和电子电流。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 电荷 中和 过程 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种用于监测离子注入系统(100)内电荷中和过程的方法，所述离子注入系统(100)用于产生离子束(102)对一个或多个晶片(132)进行处理，该方法包括以下步骤：(a)在一个离子束(102)处理一个或多个晶片(132)时要穿过的区域(222)内产生中和电子；以及(b)监测用于捕获在区域(222)内产生的中和电子的通道体(220)上的电流，以检测电荷中和电子电流；其中，监测步骤(b)包括使通道体(220)与弧室(234)电隔离的步骤；以及该方法进一步包括在离子束(102)处理一个或多个晶片(132)的过程中将通道体(220)与弧室(234)电联接的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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