[发明专利]具有精细构图的反射接触层的光发射器件有效
申请号: | 99108447.0 | 申请日: | 1999-06-11 |
公开(公告)号: | CN1247997A | 公开(公告)日: | 2000-03-22 |
发明(设计)人: | S·D·勒斯特尔 | 申请(专利权)人: | 惠普公司 |
主分类号: | G02F1/00 | 分类号: | G02F1/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 邹光新,陈景峻 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明是包括一个用高反射材料制造的带有紧凑间隔的开孔的p型接触层,提高光提取效率的AlInGaN光发射器件。开孔的最小尺寸是发射光波长的1/4,与器件p型层电流侧向流动的距离相当。金属中的开孔部分占接触层上表面的20—80%,并精细地间隔开以实现透明和光的均匀发射。可选的绝缘密封剂可以淀积在p型接触层上,并钉扎在规则的间隔上提高接触层的粘结性,提高光提取。开孔中外延层的表面可以被刻蚀开孔来散射半导体内部的光,提高光提取。在器件的下表面采用反射层来提高光提取效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 精细 构图 反射 接触 发射 器件 | ||
【主权项】:
1.一种光发射器件,包括:一个异质结器件(10),其中器件是AlInGaN器件,包括一个n型层(12),一个p型层(16),和一个介于n型层和p型层之间、用来发射可见光λ的发射层(14);和两个导电材料制作的接触层(18,20),其中之一是连到n型层的n型接触层(18),另一个是连到p型层的p型接触层(20),其中两个接触层中至少有一个包括最小开孔尺寸为1/4λ的开孔图形,光可以通过开孔射出。
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