[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 99108458.6 | 申请日： | 1995-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1153267C | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 八木能彦;东和司;熊谷浩一;塚原法人;米泽隆弘 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 设置于半导体芯片(4)的表面上的电极端(5)在平面视图上具有方形。而且，设置于电极端(5)上的凸块(8)的突出顶部(8a)指向电极端(5)的角部(5a)。于是，使通过毛细管(1)供给的金丝(2)的下端部熔化而形成的金球(2a)与电极端(5)接合，然后，沿方形电极(5)的对角线方向移动毛细管(1)。因而，使金丝(2)的主体与金球(2a)分离开，以形成凸块(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括用金丝作凸块材料在设置于半导体芯片表面上的第一和第二电极端上各形成一凸块的步骤；所说的第一和第二电极在所说的半导体上彼此并排地布置，所说的金丝是通过毛细管供给的，而所说的凸块形成步骤包括以下各步骤：将金球接合到位于所说的毛细管正下方的所说的第一电极端上，以形成第一凸块，所说的金球是用切割电极在预定放电条件下将所说的金丝端部熔化而形成的；环绕所说的毛细管移动所说的切割电极，以便能在与第一凸块的放电条件相同的放电条件下，使所说的金丝端部熔化，然后将另一金球接合到所说的第二电极端，以形成第二凸块，所说的金球是在放电条件下使所说的金丝端部熔化而形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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