[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

在掩模ROM这样的半导体器件中，抑制编码离子注入中的横向扩大，使半导体器件易于实现高度集成化。在用一个MOS晶体管构成的存储器单元中，在MOS晶体管的沟道区域外形成离子注入阻挡膜，包含该离子注入阻挡膜的离子注入掩模设定在预定的MOS晶体管沟道区域中进行编码离子注入的预定晶体管的阈值。其中，相对于形成在存储器单元下层部分的元件图形，例如栅极布线或扩散层，自对准地形成上述离子注入阻挡膜。

主权项

1.一种半导体器件，该半导体器件用一个绝缘栅场效应晶体管构成存储器单元，其特征在于，在所述绝缘栅场效应晶体管的沟道区域外的元件区域中形成离子注入阻挡膜，包含所述离子注入阻挡膜的离子注入掩模设定在预定的绝缘栅场效应晶体管的沟道区域中进行编码离子注入的预定晶体管的阈值。