[发明专利]半导体晶片模组及其制造方法无效

专利信息
申请号: 99108530.2 申请日: 1999-06-23
公开(公告)号: CN1126159C 公开(公告)日: 2003-10-29
发明(设计)人: 沈明东 申请(专利权)人: 沈明东
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L25/00
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 章蔚强
地址: 台湾省台北市*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体晶片模组的制造方法,提供一第一、二半导体晶片,第一半导体晶片具有一形成数个粘接垫的粘接垫安装表面,第二半导体晶片具有一形成对应第一半导体晶片粘接垫的晶片安装表面,提供一具有第一、二粘附表面的绝缘胶带层,第一粘附表面与第一半导体晶片的粘接垫安装表面粘接,绝缘胶带层根据粘接垫形成数个用于暴露对应粘接垫的贯孔,每粘接垫与贯孔的孔壁之间形成一触点容置空间,在每个触点容置空间内形成一导电触点。
搜索关键词: 半导体 晶片 模组 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体晶片模组的制造方法,其特征在于,它包含如下步骤:提供一第一半导体晶片和一第二半导体晶片,该第一半导体晶片具有一形成数个粘接垫的粘接垫安装表面,该第二半导体晶片具有一形成对应于第一半导体晶片的粘接垫的晶片安装表面;提供一具有第一与第二粘附表面的绝缘胶带层,该绝缘胶带层的第一粘附表面与第一半导体晶片的粘接垫安装表面粘接,并在第一半导体晶片的粘接垫处形成数个用于暴露对应的粘接垫的贯孔,在每个粘接垫与形成暴露对应粘接垫的贯孔的孔壁之间形成一触点容置空间;在每个触点容置空间内形成一导电触点;以加热处理方式将第二半导体晶片的晶片安装表面与绝缘胶带层的第二粘接表面粘接,及将导电触点与第二半导体晶片的对应的粘接垫粘接,第二粘接表面的粘胶具有比导电触点的熔点低的熔点,在这些导电触点熔接第二半导体晶片的粘接垫之前,粘胶已熔接第二半导体晶片的晶片安装表面,且密封这些导电触点在触点容置空间内。
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