[发明专利]生产半导体薄膜的方法和使用该薄膜的太阳电池的生产方法无效
| 申请号： | 99108640.6 | 申请日： | 1999-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1240302A | 公开（公告）日： | 2000-01-05 |
| 发明（设计）人： | 水谷匡希;谷川功;中川克己;庄司辰美;浮世典孝;岩崎由希子 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种生产半导体薄膜的方法,其中在具有弯曲表面的支撑件弯曲表面上支撑形成于衬底上的半导体薄膜的同时,还旋转支撑件,从而将半导体薄膜从衬底上剥离下来。此外还提供生产半导体薄膜的方法,该方法包括将形成于衬底上半导体薄膜从衬底上剥离下来的步骤,其中在不用粘接剂将衬底固定于衬底支撑件上之后进行剥离步骤。这样提供将半导体薄膜从衬底上剥离下来而不使其损伤的方法和保持衬底而不使其沾污的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 半导体 薄膜 方法 使用 太阳电池 | ||
【主权项】：
1.一种生产半导体薄膜的方法，包括下列步骤：旋转具有弯曲表面的薄膜支撑件，同时在薄膜支撑件弯曲表面上支撑形成于衬底上的半导体薄膜，从而将半导体薄膜从衬底上剥离下来。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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